科锐公司宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管，从而提高效率和可靠性。

科锐无线射频销售与市场总监 Tom Dekker 表示：“与同频率范围的 GaAs 晶体管相比，科锐0.25微米GaN HEMT裸芯片产品系列拥有更显着的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综合功率方案，从而提升固态功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的性能。”

主要的市场应用包括航海雷达、医疗成像、工业及卫星通信等领域。与 GaAs 晶体管相比，固态放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率，并且能够缩小功率放大器和电源的体积。GaN HEMT 功率放大器的高效率能够有效地降低发射机的功率消耗。

科锐无线射频业务发展经理 Ray Pengelly 表示：“科锐0.25微米GaN HEMT产品拥有突破性的性能，效率和带宽的显着提高实现了GaAs晶体管所不能达到的晶体管性能水平。例如，开关模式的高功率放大器(HPA)能够在微波频率段提供超过80%的功率附加效率。在功率超过10W时，GaN HEMT HPA 的瞬时带宽可达6至18GHz。0.25微米 GaN 产品所提供的卓越性能使得系统工程师能够重新设计 GaAs 晶体管和行波管。”

在40V 漏极电压和Ku 波段工作频率范围内，全新 GaN HEMT 裸芯片产品 CGHV1J006D、CGHV1J025D 以及 CGHV1J070D 的额定输出功率分别为6W、25W 和70W。

新型碳化硅衬底氮化镓裸芯片产品系列采用科锐专利技术，同时可扩展性的大信号器件模型能够与安捷伦公司的 Advanced Design System 以及 AWR 公司的 Microwave Office 模拟平台相兼容，因此无线射频设计工程师能够准确地模拟先进的射频放大器电路，从而显着缩短设计周期并实现更高微波频率。0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 工艺具有业界领先的可靠性，并能够在 40V 的漏极电压下工作。当通道温度高达225 摄氏度时，平均无故障运行时间超过一百万小时。