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铋系化合物超结构制备获得新进展

  • 2012-10-8 16:39:51
  • 来源:中国化工信息网
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导读: 铋系化合物的特殊电子结构使得它们在热电、传感、光电子等领域有很好的应用前景。有序铋系纳米材料由于能大幅提高其材料性能,因而受到人们的广泛重视。国家纳米科学中心刘前课题组早前已发现以β-Bi2O3为前驱体,可以制作BiOCl四方结构纳米墙阵列(2DONW)。
关键字: 铋 半导体 纳米 化合物

系化合物的特殊电子结构使得它们在热电、传感、光电子等领域有很好的应用前景。有序铋系纳米材料由于能大幅提高其材料性能,因而受到人们的广泛重视。国家纳米科学中心刘前课题组早前已发现以β-Bi2O3为前驱体,可以制作BiOCl四方结构纳米墙阵列(2DONW),并以此为模板制作Bi2S3 嵌套的自相似四方结构阵列(N2DONW),并阐明了这些有序阵列的内在原因来自于物相之间的晶格匹配 [ J. Am. Chem. Soc. 2011, 138, 8211-8215]。

为了提供给铋系化合物的2DONW结构制备的一般策略,该课题组对铋系结构的通用制备途径展开了进一步研究。研究发现在铋系化合物中,很多重要的半导体材料和β-Bi2O3有类似的晶体结构和非常接近的晶格参数。实验证明,能满足上述晶体学方面要求的多种铋系化合物(β-Bi2O3,BiOCl,BiOBr,Bi2O2CO3,Bi2S3等)均能生成2DONW,并在一定条件下最终转化为Bi2S3 N2DONW。该研究还预测了更多的铋系化合物,如γ-Bi2O3,δ-Bi2O3,Bi2O2.33,BiFeO3,Bi2O2Se,C2H3BiO3,Bi2WO6,Bi2MoO6,Bi2VO5等也可形成具有特殊性能的四方超结构。

(关键词:铋 半导体 纳米 化合物)

(责任编辑:00955)

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