近二十年来碳化硅半导体材料开始被行内人士重视，因为它有许多优势。早在上世记50年代，在黄昆、谢希德合着的“半导体物理学”着作中已介绍了半导体碳化硅。最早进入制作半导体器件的材料是锗，随后，硅和三、五族半导体材料登上了历史舞台。直至如今电力电子领域的晶闸管和IGBT等高压、大电流器件仍是使用硅单晶材料。由于碳化硅器件设计理论有所突破，人们对更高性能的大功率半导体器件的期望也越来越迫切。
据权威媒体分析，SiC和GaN器件将大举进入电力电子市场，预计到2020年，SiC和GaN功率器件将分别获得14%和8%市场份额。未来电力电子元器件市场发展将更多地集中到SiC和GaN的技术创新上。
SiC器件因为成熟度和可靠性更佳，发展脚步将领先GaN。SiC功率器件增长动力主要来自可再生能源领域，在太阳能市场占有率将达32%。在轨道交通领域，SiC和GaN的应用相当，预计到2020年，两者市场份额分别为16%和15%。在IT和电子设备市场，GaN较SiC更有优势，估计2020年市场份额可达14%。
GaN刚刚起步但后劲十足，GaN是一种宽带隙材料，可提供类似SiC的性能特色，但有更大的成本降低潜力。这一性价比优势是有可能实现的，因为GaN功率器件可在硅衬底上生长出来，与SiC衬底相比，它的成本更低。
由于全球经济的不景气和SiC的价格下降幅度并不如预期的大，SiC和GaN功率器件需求市场近几年并没有出现强烈增长。与之相反，业界对GaN技术的信心开始增长，因为更多的半导体供应商宣布GaN的开发计划。
随着国家相关政策的完善及战略性新兴产业的崛起，电力电子技术在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源装备、电动汽车等先进制造业等重要领域都将发挥重要作用，而这其中的许多领域都在“十二五”规划中具备万亿以上的市场规模，其必然带动电力电子技术及产业高速发展，迎来重大的发展机遇。
据悉，PEC电力电子苏州站（10月25-26日，苏州会议中心），将迎来业界内知名企业及行业组织专家，共同探讨SiC和GaN在未来的发展趋势，以及能否真正意义上为国民经济带来质的飞跃等话题。如CREE科锐将隆重出席会议，并为观众带来碳化硅器件的发展与应用的精彩演讲，来自中国科学院州纳米研究所的专家，将为业内分享GaN电力电子器件的相关知识。
小知识：
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