Strategy Analytics砷化镓和化合物半导体技术(GaAs)服务发布最新研究报告《半绝缘砷化镓外延衬底市场预测：2012-2017》指出，砷化镓器件市场缓慢增长以及应用在蜂窝手机中的多频砷化镓功率放大器市场不断增长，导致2012年砷化镓外延衬底产量下滑。报告估计2012年市场对诸如IQE，VPEC，Kopin，威迅联合半导体，日立电线，英特磊科技和住友集团这些制造商生产的半绝缘砷化镓外延衬底的整体需求达近2，900万平方英寸，比去年同期下滑近5%。报告预测市场对砷化镓器件需求放缓意味着对砷化镓外延衬底需求的缓慢增长，到2017年砷化镓外延衬底产量略超过3，160万平方英寸。
Strategy Analytics砷化镓和化合物半导体技术服务（GaAs）总监Eric Higham评论到：“2012年砷化镓外延衬底产量下滑同时打击了MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)和MBE(Molecular Beam Epitaxy)的架构，但对两者的影响是不同的。经历了2011年的急剧增长后，2012年MOCVD材料产量下跌近7%。我们的研究结果表明，经历了前两年的重创后，MBE的产量更加稳定，跌幅略低于1%。”
Strategy Analytics战略技术实践(STP)总监Asif Anwar补充到：“MOCVD产量下滑表明应用在手机中的多频功率放大器的增长趋势。我们认为，MBE能够用于其它应用程序，而MBE产量却小幅下滑。这表明大部分的手机开关向其它技术的转换已结束。”
Strategy Analytics按照直径，地理位置，外延加工技术，应用和供应商五大维度对半绝缘砷化镓外延衬底细分市场进行预测，同时探讨了这些细分市场的趋势和近期发展动态。
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