9月19日，由深圳市科学技术协会、坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，青铜剑科技、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办，深圳基本半导体、深圳中欧创新中心承办的第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会，围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨与交流，加速第三代半导体材料国产化替代进程，助力国产半导体开辟一片新天地。
深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论坛并致辞。深圳第三代半导体研究院副院长张国旗、南方科技大学深港微电子学院执行院长于洪宇、国家新能源汽车技术创新中心车规半导体业务负责人文宇、英国剑桥大学工程系教授Patrick Palmer、深圳基本半导体有限公司总经理和巍巍等嘉宾围绕第三代半导体材料器件的技术创新、产品应用和机遇挑战，开展前沿技术分享及精彩主题演讲。
深圳基本半导体总经理和巍巍在论坛上表示，国内第三代半导体碳化硅发展一直紧跟世界前沿，但在汽车设计和制造方面，和国际的先进水平还有一定的差距。目前，国内有几所大学可以制造器件样品，有部分公司可以量产二极管，但仅有基本半导体可量产碳化硅MOSFET，基本半导体未来将继续加大研发投入，加强技术创新，致力于铸造第三代半导体碳化硅的中国“芯”。
在随后举行的“中国第三代半导体的突破之路”高端圆桌对话上，力合科创集团副总裁冯杰、国创中心车规半导体业务负责人文宇、深圳基本半导体首席技术官张振中、北京亿华通科技研发总监周鹏飞、深圳禾望电气研发中心副经理谢峰、深圳欣锐科技研发总监张辉等产学研投界代表畅所欲言，为“中国第三代半导体的突破之路”建言献策。
为增进中国与欧洲知名院校、科研机构、创新企业的国际交流，进一步推动双方开展学术交流和科研合作，促进国内第三代半导体产业快速发展，青铜剑科技、基本半导体以及中欧创新中心从2017年开始，每年定期举办中欧第三代半导体高峰论坛。本届高峰论坛立足于国际产业发展形势，邀请国内外知名专家学者，从全球视角探讨第三代半导体行业所面临的机遇与挑战，以及面向未来的战略与思考。
第三代半导体是全球半导体产业技术创新和产业发展的热点，拥有最大的发展空间和良好的市场前景，为信息、能源、交通模块等战略性新兴产业发展提供了重要支撑，催生了上万亿元的潜在市场。近年来，随着材料、器件、工艺和应用方面的一系列技术创新和突破，第三代半导体走到了从研发到产业的拐点，政府、科技界和产业界对其未来发展给予了很高的期望，国产化需求迫切。
基本半导体由清华大学、浙江大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院等国内外知名高校博士团队创立，专注于碳化硅功率器件的研发与产业化，旗下碳化硅器件产业链覆盖了外延制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等环节。基本半导体已先后推出全电流电压等级碳化硅二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET，以及车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。
基本半导体正不断提速车规级碳化硅功率器件的研发。最近，一辆搭载了基本半导体碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管的新能源汽车，至今已累计无故障行驶120天、运行里程超过1万公里，是企业乃至行业在坚持自主创新、芯片国产化道路上一座重要的里程碑。
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