三星申请半导体器件专利，提高电子系统性能

2024年4月9日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和包括半导体器件的电子系统“，公开号CN117858506A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，一种半导体器件包括：第一半导体结构，包括在第一衬底上的电路元件、连接到电路元件的下互连结构、以及覆盖电路元件的外围区域绝缘层;以及第二半导体结构，包括在第一衬底上的第二衬底、包括彼此间隔开并堆叠在第二衬底上的第一栅电极和第二栅电极的第一堆叠结构、与第一栅电极和第二栅电极交替堆叠的层间绝缘层、穿过第一栅电极和第二栅电极的第一接触插塞和第二接触插塞、以及与层间绝缘层交替设置并围绕接触插塞的接触插塞绝缘层。第二半导体结构包括第一电容器结构，该第一电容器结构包括第一栅电极、(多个)接触插塞绝缘层和第二接触插塞，或者第二栅电极、(多个)接触插塞绝缘层和第一接触插塞。

(关键字：半导体)