大庆溢泰半导体取得一种用于大直径锑化镓晶体生长覆盖剂除杂装置专利，提高单晶成品率

国家知识产权局信息显示，大庆溢泰半导体材料有限公司取得一项名为“一种用于大直径锑化镓晶体生长覆盖剂除杂装置”的专利，授权公告号CN 221956234 U，申请日期为2024年2月。

专利摘要显示，一种用于大直径锑化镓晶体生长覆盖剂除杂装置，涉及晶体生长除杂技术领域，包括能够起到提升和旋转作用的机械臂和石英刮盘，石英刮盘安装在机械臂的下端，石英刮盘至少包括一块扇形的石英板，石英板的两侧在厚度方向上均带有用于收集覆盖剂杂质的斜面，两个斜面构成的夹角的顶点位于石英板的上方，石英板的中部带有用于盛放覆盖剂杂质的凹槽；在石英板的径向上，凹槽的底面呈斜面，斜面的高点位于石英板的外缘一侧，斜面的低点位于石英板的中心一侧；所述的凹槽为扇形结构，凹槽的扇形角等于石英板的扇形角。本实用新型能够通过石英刮盘的转动刮走液面薄层难溶浮渣，可保证纯度比较高的覆盖剂投入晶体生长中，从而提高单晶成品率。

(关键字：锑化镓)