新存科技申请半导体结构相关专利，实现半导体结构制造优化

2025年1月9日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技(武汉)有限责任公司申请一项名为“半导体结构的制造方法和半导体结构”的专利，公开号 CN 119255616 A，申请日期为 2024 年 9 月。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种半导体结构的制造方法和半导体结构。制造方法包括：提供衬底，并在衬底上形成器件材料层;在器件材料层上，形成阻挡层;在阻挡层上形成图案化的第一掩膜;基于第一掩膜进行刻蚀，在阻挡层中形成沿第一方向延伸的多条第一沟槽;去除第一掩膜;在阻挡层上形成图案化的第二掩膜;基于第二掩膜进行刻蚀，在阻挡层中形成沿第一方向延伸的多条第二沟槽;去除第二掩膜;以阻挡层为掩膜进行刻蚀，将器件材料层刻蚀形成沿第一方向延伸的多条存储单元线。

天眼查资料显示，新存科技(武汉)有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1656.3515万人民币，实缴资本1257.59万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技(武汉)有限责任公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目3次，专利信息58条。

(关键字：半导体)