中微公司：此轮半导体设备周期有何不同？

事件:7月3日,公司正式公告定增上市情况,本次定增面向20家机构共配售80,229,335股,募资近82亿元。

大基金二期获配25亿,占比30.46%。公司本次定增最终确定20家配售机构,共发行股数80,229,335股,发行价格102.29元/股,募集资金近82亿元,其中大基金二期获配24,440,316股,占比30.46%。定增注资将进一步助力公司产能扩充、产品技术升级、以及产品品类扩充,赋能公司集成电路设备、非半导体设备、泛半导体设备三维生长战略。

31.7亿元投资临港、南昌基地,用于产能扩充及品类升级。临港基地承担现有产品改进升级、新产品开发生产及产能扩充任务,预计2022年12月完工;南昌基地承担较为成熟产品的大规模量产及部分产品的研发升级工作,预计2022年4月完工。项目拟扩充和升级的产品类别为等离子体刻蚀设备、MOCVD设备、热化学CVD设备等新设备、环境保护设备,相应产能规划分别为630腔/年、120腔/年、220腔/年、180腔/年。

37.5亿元投资临港总部和研发中心,聚焦新品研发。临港总部和研发中心预计2023年6月完工。研发规划上,CCP方面,将聚焦128层及以上3D NAND极高深宽比、14nm及以下逻辑器件的大马士革刻蚀产品;ICP方面,聚焦下一代单反应台Nanova+、双反应台Twin-Star+、及ALE原子层刻蚀设备的开发与应用;MOCVD方面,将聚焦碳化硅功率器件外延生产设备;热化学CVD方面,将聚焦HPCVD、导体薄膜LPCVD、ALD、EPI等。

30.8亿元科技储备资金,助力公司三维生长。科技储备资金将用于新产品协作开发及对外投资并购。协作开发将聚焦红黄光MOCVD、OLED生产设备、化学薄膜沉积设备、光学检测设备;对外投资则涉及量测及过程控制、化学抛光、清洗、封测、OLED生产、三代半导外延生长、太阳能电池PECVD、激光刻蚀等多领域,彰显公司三维生长决心。

风险提示:(1)下游扩产不及预期;(2)产品研发不及预期;(3)行业景气度不及预期。

国产半导体设备的意义:硬科技是要素创新,是科技发展的底层源动力,是一种纵向的探索式创新,从上往下依次划分为三个层级,分别是:浅层要素(云、系统软件、服务器、芯片设计)、中层要素(代工、封测、制造、存储)、深层要素(半导体设备),半导体设备是硬科技的底盘,决定了晶圆代工行业内循环为主、外循环为辅的实现水平。

我们将技术分为四个层次:根技术、干技术、枝技术、叶技术,其中处于支配地位的就是根技术,而半导体设备在根技术中具备支配地位。

我们将科技股分为两类:

1、科技观,双重维度:我们从两个维度定义科技股,第一种是基于技术的要素创新(硬科技),另外一种是基于模式的场景创新(软科技)。基于要素创新的公司主要分布在半导体和底层软件领域,他们突破现有的技术瓶颈,不断的拓展要素的技术边界,从而实现技术的深层次进步,我们称之为硬科技;

基于模式创新的公司主要集中在互联网和各类集成商领域,他们基于现有的科技要素,进行模式的匹配和组合,并应用于各种场景,我们称之为软科技。

2、硬科技,要素创新:是科技发展的底层源动力,是一种纵向的探索式创新,从上往下依次划分为三个层级,分别是:浅层要素(云、系统软件、服务器、芯片设计)、中层要素(代工、封测、制造、存储)、深层要素(芯片设备、材料、IP/EDA)。

而这三层硬科技归根结底来源于数学、物理、化学、材料等基础科学。对于技术边界的拓展,这些基础设施背后的要素创新,自上而下,层次越深,难度越大,中国与国外的差距也越大。

目前,我国已经在部分领域开始有所突破,但是与国外先进水平相比差距仍存。华为目前已提出将在半导体全面布局,从深层要素通过新工艺、新材料紧密联动,实现全栈要素创新。国内外硬科技代表公司是半导体设备(应用材料、北方华创)。

半导体设备是中国实现科技自强的根本,是实现外循环的内在条件。

我们认为未来的格局将是:

1、成熟工艺=内循环为主+外循环为辅

2、先进工艺=外循环为主+内循环为辅

浅层要素,主要以基础软件、芯片设计为代表,基础软件具有传统互联网行业的特质“平台+硬件+软件”。主要包括了承载终端场景的云平台,数据库、操作系统、应用软件的软件群以及服务器、数据中心等硬件设备。云和芯片设计作为连接应用场景和中层要素的接口。

中层要素,主要以代工制造、封装测试为代表,是浅层要素的载体,也是深层要素的集合。相比较浅层要素追逐摩尔定律,中层要素更需要时间的积累,制程演进推动相关技术持续突破,不断拓展要素的技术边界,实现技术进步。

深层要素,主要以底层软件、设备、材料为代表。深层要素的缺失将会为中层要素的崩塌埋下隐患,使得浅层要素处于空中楼阁的状态。近年来,美国实体清单、日韩贸易争端都说明了要素创新必须实现深层要素的国产化才能实现全栈要素创新。

此轮半导体设备周期有何不同?

半导体设备的周期:本轮是朱格拉周期(设备投资周期)+国产替代周期+创新周期+库存周期,是四个周期的叠加,与上一轮以泛半导体为主的投资周期不同,这次是以集成电路投资为主线的全新机遇。

此轮国产设备周期背后是两个周期的叠加:

1、朱格拉周期也叫设备投资周期,其背后就是中国的产业升级周期。

2、下游库存周期的逆向传导,从创新传递到库存,然后传递到设备投资。目前这两个周期都在启动的早期:

我们先回顾上一轮朱格拉周期(2009～2019),中国的半导体建设主要集中在泛半导体领域,中国大陆通过十年密集的顺周期+逆周期的投资将面板、光伏、LED、消费电子制造、新能源均发展成全球前列,分别在半导体能源(光伏)、半导体照明(LED)、半导体显示(面板)培育出了隆基股份、三安光电、京东方三大世界龙头。

下一轮朱格拉周期(2020～2030),中国将在集成电路领域进行巨额投资,以存储(DRAM、NAND)、晶圆代工(成熟工艺为主、先进工艺为辅)、第三代化合物半导体为主。这就是国产设备的黄金红利期。

与前一轮周期相比,此轮周期有两个不一样:

1、国产设备的参与度大幅提升。上一轮周期由于装备基础薄弱问题,虽然在光伏设备领域培育出了晶盛机电和北方华创,LED设备领域的北方华创和中微公司,但是在面板领域,绝大多数设备都来自海外,错失了一轮行业红利。仅京东方一家公司在此轮扩产周期中就投资超过2000亿元,但其中绝大多数都是国外设备,北方华创作为旗舰龙头,仅仅供应部分,占比极其有限。

2、国产设备的投资金额巨大,此轮设备投资周期的金额将数倍于上一轮泛半导体,此轮朱格拉周期是以集成电路为主,国内产业已经开始在低端和成熟工艺匹配,除了光刻环节,已经在PVD、CVD、刻蚀机、氧化设备、ALD、清洗设备、量测设备逐渐匹配。

(关键字：半导体)