荣耀公司申请半导体专利

11月29日消息，荣耀终端有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法、封装器件、电子设备“，公开号CN117133802A，申请日期为2023年3月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制作方法、封装器件、电子设备，涉及半导体技术领域。用于解决现有半导体器件自热效应严重，限制器件性能，并存在烧毁器件的风险的问题。上述半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层以及导热部。衬底上开设有散热孔。沟道层叠置于衬底上，散热孔贯穿衬底，并延伸至沟道层。势垒层叠置于沟道层远离衬底的表面上。导热部填充于散热孔内。本申请提供半导体器件能够提升散热效果，有利于提升器件性能。

(关键字：半导体)